Proyecto PICT 2013-3077: “Estudio de la estructura de defectos en semiconductores, con aplicación a celdas solares y otros dispositivos electrónicos”

Tipo de Beca: Inicial (para iniciar un doctorado)

Tema de la Beca: Estudio del efecto de la radiación por iones pesados sobre celdas solares y otros dispositivos para aplicaciones satelitales

Resumen:

Dependiendo del dispositivo semiconductor se presentan tres tipos de efectos debidos a la radiación: el primero es causado por una sola partícula y puede afectar el dispositivo en sí o solo a la información. Los otros dos se producen por el daño acumulado, ya sea por desplazamiento o el denominado TID (Total Ionizing Dose) que se produce por la acumulación de cargas en aisladores. En el primero de ellos los defectos en la red son causados por los desplazamientos de átomos de su posición en la red cristalina.

El objetivo de este trabajo es contribuir a la caracterización del daño tanto desde el punto de vista teórico como experimental. En el Silicio, el más utilizado de los semiconductores, el problema fue estudiado en extenso por diversos autores, principalmente por T. de la Rubia y M.J. Caturla, y en alguna medida fue estudiado para el Arseniuro de Galio (GaAs) por el grupo de Finlandia liderado por K. Nordlund. El objetivo de este trabajo es ganar en conocimiento estadístico de los tipos de defectos producidos por radiación y explorar la correlación con las propiedades electrónicas de los mismos, mediantes modelos semiempíricos. Finalmente, se realizarán ensayos de daño por radiación con iones pesados sobre dispositivos y se buscará contrastar los resultados obtenidos con los correspondientes a simulaciones numéricas. Cabe remarcar que en el marco de otra tesis doctoral se está poniendo a punto la técnica DLTS (Deep Level Transition Spectroscopy) que permite identificar la densidad y los niveles en la banda prohibida de las trampas electrónicas producidas por la irradiación.
Requisitos del Becario: Menor de 35 años. Título de grado universitario en ciencias exactas, ingeniería, o carreras afines.

Criterios de selección: Se evaluarán los antecedentes académicos y experiencia previa en trabajos de investigación.

Cierre de la convocatoria: 20/03/15.

Lugar de Trabajo: Departamento Energía Solar, Gerencia Investigación y Aplicaciones, Centro Atómico Constituyentes, Comisión Nacional de Energía Atómica.

Carga horaria: 40 hs semanales

Estipendio mensual: $9059

Duración de la Beca: 3 años.

Director de la Beca: Dr. Martín Alurralde

Dirigirse a: alurrald@cnea.gov.ar enviando el CV

Tel.: 54-11-6772-7716